SK海力士加速推进超300层V10 NAND闪存 目标2027年量产共1篇
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SK海力士加速推进超300层V10 NAND闪存 目标2027年量产

12月9日最新消息,据Trendforce披露,SK海力士正式宣布,将于2027年初启动第十代V10NAND闪存的量产工作,其关键创新在于全球首发300余层堆叠结构,并首次在NAND产品中集成混合键合技术(HybridB...
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