SK海力士加速推进超300层V10 NAND闪存 目标2027年量产

12月9日最新消息，据trendforce披露，sk海力士正式宣布，将于2027年初启动第十代v10 nand闪存的量产工作，其关键创新在于全球首发300余层堆叠结构，并首次在nand产品中集成混合键合技术（hybrid bonding）。

该工艺采用“分晶圆制造+垂直键合”策略：先独立制备存储阵列晶圆与外围逻辑晶圆，再通过高精度混合键合实现三维集成，最终构建出统一的高性能存储单元，在良率控制、I/O带宽及制造成本方面均实现显著优化。

这一决策大幅超前于行业普遍预期——此前主流观点认为，混合键合技术需待400层以上堆叠才具备量产可行性。

SK海力士提前在300层节点实现该技术的商业化落地，意在抢占技术制高点，快速响应AI训练、大型数据中心等场景对超高密度、低延迟闪存产品的强劲增长需求。

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与此同时，产能层面亦同步提速：受益于企业级固态硬盘（eSSD）订单持续攀升，其第九代NAND产线目前已基本处于满负荷运转状态。公司正加紧提升现有代际产品的交付能力，以保障第十代技术规模量产前的市场平稳衔接。

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