三星计划调整存储芯片产能：将NAND闪存产线转向DRAM

11月21日消息，据媒体报道，三星电子正推进存储芯片产能的重大战略转型，拟将位于韩国平泽和华城生产基地的部分NAND闪存生产线转为DRAM生产用途。

此举背后是市场供需格局的显著变化——业内人士透露，三星对当前NAND闪存市场的前景持保守态度，而对持续高涨的DRAM需求则采取主动扩张策略。

此前已有行业分析指出，包括三星、SK海力士、铠侠以及美光在内的全球四大NAND主要制造商，均计划于2025年下半年缩减NAND闪存产量，这一集体行动预计将推动闪存产品价格进一步上扬。

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目前DRAM市场正处于高度紧张状态，价格迅速上涨。部分服务器厂商为了获得DDR5内存模块，甚至愿意支付高达70%的溢价，却依然难以解决供货不足的问题。

有科技企业预测，DRAM供应紧缺的局面或将持续多年，已着手就2027年的产能配额提前展开协商。

值得注意的是，在削减韩国本土NAND产能的同时，三星计划通过提升其位于中国西安工厂的产出进行补充，以此维持全球NAND供应链的整体稳定。

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